Das GD-OES Spektrometer GD Profiler 2 zur Elementanalyse und Erstellung von Tiefenprofilen mittels Glimmentladung wurde um eine neue, patentierte Innovation, der direkten Bestimmung der Kratertiefe mittels differentieller Interferometrie (DiP) erweitert. Durch die neue, innovative Möglichkeit sind vor allem schnelle und äußerst präzise Ermittlungen der elementaren Schichtzusammensetzung von Materialien möglich.
Anhand der kontinuierlichen Ermittlung der Kratertiefe während des Sputterprozesses ist konsequenterweise auch die jeweilige Sputterrate direkt zugänglich. Diese Entwicklung ist ein technologischer Durchbruch für Tiefenprofilierung mittels GD-OES, da nur noch eine einzige Messung benötigt wird, um beide Parameter gleichzeitig zu bestimmen. Der Vorteil ist, dass diese Innovation nicht nur für Neugeräte zur Verfügung steht, sondern auch an vorhandenen GD-Instrumenten vor Ort nachgerüstet werden kann.
Da die Sputterraten bei der GD-OES materialabhängig sind, verändern sie sich in einem Multischichtsystem. Bislang war die Ermittlung der Sputterraten über aufwendige Berechnungsverfahren notwendig, bei dem in der Regel die Werte zugrunde gelegt werden, die an Vollmaterialien ermittelt wurden. Diese Sputterraten weichen jedoch für Multischichtsysteme mit variierenden Materialdichten innerhalb der einzelnen Schichten teilweise deutlich von den tatsächlichen Sputterraten ab. Folglich werden Schichtdicken falsch wiedergegeben.
Alternativ können die Sputterraten über eine externe Tiefenmessung, wie z.B. anhand eines Profilometers erfolgen. Dies erweist sich jedoch in der Regel als sehr zeitaufwendig und mühsam. Mit DiP werden diese beschriebenen Schwierigkeiten gelöst.
Seine besondere Stärke erweist DiP beim Einsatz an nichttransparenten Schichtsystemen, bei denen die Ellipsometrie nicht verwendet werden kann. Daher zeigt sich GD in Verbindung mit DiP als ein hervorragendes Analysewerkzeug, um Abscheidungsprozesse intransparenter Materialien exakt zu kontrollieren.