Neue Intelligente Power-Module: Die L1-Serie von Mitsubishi Electric

Mitsubishi Electric bringt die neuen IPMs (Intelligente Power-Module) der L1-Serie auf den Markt, die mit schnellen, verlustarmen IGBT-Chips ausgestattet sind. Diese IGBTs verfügen über Full-Gate-CSTBT (Carrier-Stored Trench Gate Bipolar Transistor) Technologie und sind mit der bereits erhältlichen IPM-Familie der L-Serie mechanisch kompatibel. Darüber hinaus sind die neuen L1-Module auch in einem zusätzlichen kleineren Gehäuse mit verbesserter Performance erhältlich.

Die Full-Gate-CSTBT-Struktur der IPM L1-Serie, sorgt für eine signifikante Verbesserung der Sättigungsspannung UCE(sat), wobei die Abschalt-Energie Eoff fast gleich gehalten wird. Diese Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung beträgt bei den IPMs der L-Serie 1,9 V, während es bei den IPMs der L1-Serie jeweils 1,75 V sind – und zwar bei einer Sperrschicht-Temperatur Tj von 125° C. Darüber hinaus wurden die Gesamt-Schaltverluste in den IPMs der L1-Serie unter vergleichbaren Bedingungen um 15 % gesenkt.

Die neue L1-Serie ist für Schaltfrequenzen bis 20 kHz bei Nennspannungen von 600 V und 1200 V in vier unterschiedlichen Gehäusen erhältlich. Dabei hat das kleinste Gehäuse die Maße 90 mm x 50 mm. In ihm sind IPMs mit den Eckdaten 50 A/600 V bzw. 25 A/1200 V untergebracht.

Die in einem 135 mm x 110 mm großen Gehäuse des Typs C untergebrachten IPMs der L1-Serie entwickelte Mitsubishi Electric für den Hochstrombereich von 200/300 A bei 600 V sowie für 100/150 A bei 1200 V.

Die IPMs sind gegen Übertemperatur, Kurzschlüsse sowie Unterspannungen geschützt und für Anwendungen in den Bereichen Servo, Klimaanlagen und Standard-Motorsteuerungen konzipiert.

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