Mitsubishi Electric Corporation kündigt einen schaltbaren Leistungsverstärker für WCDMA-Handys an, der die Sprechzeit verlängert, während gleichzeitig die Anzahl der Bauelemente auf der Stückliste geringer wird. Diese Senkung der Bauelemente-Anzahl wird möglich, weil mit dem neuen Mitsubishi-Verstärker der bisher in WCDMA-Leistungsverstärkern benötigte DC/DC-Wandler entfällt. Das InGaP-HBT-Modul (HBT: Hetero-Junction Bipolar Transistor) BA01254, das in einem Gehäuse mit Abmessungen von lediglich 4 x 4 x 1,2 mm3 integriert ist, stellt bei einer Verstärkung von 26,5 dB eine maximale Ausgangsleistung von 27,0 dBm zur Verfügung. Bei typischen Ausgangsleistungen von 27 dBm, 16 dBm beziehungsweise 8 dB beträgt der Wirkungsgrad jeweils 40%, 24% bzw. 7% (im HSDPA Modus).
Das Modul ist für das UMTS Band 1 (1920 bis 1980 MHz) ausgelegt und nimmt bei Versorgungsspannungen von 3,4 V einen typischen Ruhestrom von nur 12 mA auf. Während die Rauschleistung im Empfangsband mit einem typischen Wert von -139 dBM/Hz spezifiziert ist, fällt der Parameter ACLR5 (Adjacent Channel Leakage Power Ratio, Nachbarkanal-Leckleistungsverhältnis) mit lediglich -41 dBc oder -52 dBc besonders niedrig aus.
Mitsubishi Electric plant, im September 2007 einige weitere schaltbare Leistungsverstärker-Module für Band 9 (1752,4 bis 1782,6 MHz), Band 2 (1850 bis 1910 MHz) sowie Band 5 (824 bis 849 MHz) auf den Markt zu bringen.