Mega Power Dual IGBT Module der 6. Generation

Mitsubishi Electric präsentiert seine Mega Power Dual (MPD) IGBT Module der 6. Generation. Die Module sind auf den Einsatz in Wechselrichtern großer Photovoltaik- und Windkraftanlagen ausgerichtet und eignen sich auch für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf im Bereich USV oder für umrichtergespeiste Drehstromantriebe.

Mit den Carrier-Stored Trench-Gate Bipolar Transistoren (CSTBT) der 6. Generation verringert sich die Kollektor-Emitter Sättigungsspannung im Vergleich zu den MPD-Modulen der 5. Generation um 15 %. Gleichermaßen konnte die Gate-Kapazität um 30–50 % verringert werden. Zudem erhöht sich die maximal zulässige Sperrschicht-Temperatur auf 175 °C.

Die neuen MPD IGBT-Module der 6. Generation sind in Bezug auf Abmessungen, Form und Pinkonfiguration kompatibel zu den MPD-Modulen der 5. Generation, wobei die Isolationsspannung auf 4000 V erhöht wurde. Die Module sind erhältlich in den Varianten CM900DUC-24S (1200V/900A), CM1400DUC-24S (1200V/1400A) und CM1000DUC-34SA (1700V/1000A).

Die MPD-Serie der 6. Generation wurde für die steigende Nachfrage nach effizienten, zuverlässigen Systemen zur Energiewandlung im Megawatt-Bereich entwickelt.