Die Super Mini-DIPIPMs der 5. Generation mit Nennströmen von 5 bis 15 A bei einer Nennspannung von 600 V nutzen die neue Full-Gate-CSTBT™ (Carrier Stored Trench Gate Bipolar Transistor)-Technologie der 6. Generation, die zur Verringerung der Verlustleistung beiträgt.
Auf Grund der Pin-Kompatibilität sowie gleicher Gehäuseabmessungen (38 mm x 24 mm) kann die neue Modulfamilie die frühere Super Mini-DIPIPM-Familie der 4. Generation problemlos ersetzen.
Die neuen Super Mini-DIPIPM-Module verfügen über integrierte Bootstrap-Dioden sowie einen Open Emitter-Aufbau (auf der N-Seite). Darüber hinaus sind Funktionen zum Schutz vor Kurzschlüssen (SC), Unterschreiten der Versorgungsspannung (UV) und Übertemperatur (OT) implementiert; für den Fehlerfall ist die Ausgabe eines entsprechenden Fehlersignals vorgesehen.
Die 5. Generation der Super Mini-DIPIPM-Familie ist alternativ mit integriertem Übertemperaturschutz oder integrierter Analogausgabe der LVIC-Temperatur verfügbar, was Entwicklern mehr Flexibilität hinsichtlich der Betriebstemperatur-Obergrenze bietet.